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JAN2N6059

Package：TO-204AA，TO-3；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS NPN DARL 100V 12A TO204AA

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

2N6059

iscSiliconNPNDarlingtionPowerTransistor

DESCRIPTION ·Built-inBase-EmitterShuntResistors ·HighDCcurrentgainhFE =300(Min)@IC=5A ·Collector-EmitterSustainingVoltage- VCEO(SUS)=80V(Min) ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforgeneralpurposeamp

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2N6059

SILICONMULTI-EPITAXIALNPNTRANSISTOR

?HighCurrentCapability. ?HermeticTO3Metalpackage. ?ScreeningOptionsAvailable

TTELECTT Electronics.

TT電子公司梯梯電子集成制造服務(wù)(蘇州)有限公司

2N6059

NPNDARLINGTONTRANSISTOR

DARLINGTON12AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS150WATTS ...designedlorgeneral-purposepoweramplifierandlowfrequencyswitchingapplications FEATURES: *MonolithicConstructionwithButt-inBase-EmitterShuntResistors. *HighDCCurrentGain-

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

2N6059

SiliconNPNPowerTransistors

SAVANTIC

Savantic, Inc.

2N6059

DARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICON-POWERTRANSISTORS

DARLINGTON12AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS150WATTS ...designedlorgeneral-purposepoweramplifierandlowfrequencyswitchingapplications FEATURES: *MonolithicConstructionwithButt-inBase-EmitterShuntResistors. *HighDCCurrentGain-

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

2N6059

SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS

DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N6050,2N6057seriestypesarecomplementarysiliconDarlingtonpowertransistors,manufacturedbytheepitaxialbaseprocess,designedforhighgainamplifierandswitchingapplications.

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導(dǎo)體

2N6059

DARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICON-POWERTRANSISTORS

DARLINGTON12AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS150WATTS ...designedlorgeneral-purposepoweramplifierandlowfrequencyswitchingapplications FEATURES: *MonolithicConstructionwithButt-inBase-EmitterShuntResistors. *HighDCCurrentGain-

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

2N6059

POWERCOMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS

COMSET

Comset Semiconductor

2N6059

SILICONMULTI-EPITAXIALNPNTRANSISTOR

SEME-LAB

Seme LAB

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    JAN2N6059

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 系列：

    Military, MIL-PRF-19500/502

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    NPN - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    3V @ 120mA，12A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    1mA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    1000 @ 6A，3V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-204AA，TO-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-204AA（TO-3）

  • 描述：

    TRANS NPN DARL 100V 12A TO204AA

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Microchip Technology
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TO-204AA,TO-3
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晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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更多JAN2N6059供應(yīng)商 更新時間2025-2-11 14:14:00

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