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JAN2N3019分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

JAN2N3019
廠商型號

JAN2N3019

參數(shù)屬性

JAN2N3019 封裝/外殼為TO-205AD,TO-39-3 金屬罐;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 80V 1A TO39

功能描述

LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR

封裝外殼

TO-205AD,TO-39-3 金屬罐

文件大小

71.18 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡稱

Microsemi美高森美

中文名稱

美高森美公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-11 9:40:00

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JAN2N3019規(guī)格書詳情

LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/391

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    JAN2N3019

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/391

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    500mV @ 50mA,500mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    10μA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 500mA,10V

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-205AD,TO-39-3 金屬罐

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-39

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 1A TO39

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