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J649中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號	J649
功能描述	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
文件大小	78.83 Kbytes
頁面數(shù)量	8 頁
生產(chǎn)廠商	Renesas Electronics America
企業(yè)簡稱	NEC【瑞薩】
中文名稱	日本瑞薩電子株式會(huì)社官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊	下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間	2025-2-13 22:59:00

SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

The 2SJ649 is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for solenoid, motor and lamp driver.

FEATURES

? Low on-state resistance:

RDS(on)1= 48 m?MAX. (VGS= –10 V, ID= –10 A)

RDS(on)2= 75 m?MAX. (VGS= –4.0 V, ID= –10 A)

? Low input capacitance:

Ciss= 1900 pF TYP. (VDS= –10 V, VGS= 0 V)

? Built-in gate protection diode

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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