J309G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
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| 廠商型號 |
J309G |
| 參數(shù)屬性 | J309G 封裝/外殼為TO-226-3，TO-92-3 長體；包裝為帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：JFET N-CH 25V 30MA TO92 |
| 功能描述 | JFET VHF/UHF Amplifiers N.Channel . Depletion |
| 封裝外殼 | TO-226-3，TO-92-3 長體 |
| 文件大小 |
72.35 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
5 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-7-6 23:00:00 |
| 人工找貨 | J309G價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
J309G規(guī)格書詳情
J309G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的J309G晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
J309G
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
帶
- 晶體管類型：
N 通道 JFET
- 頻率：
100MHz
- 增益：
16dB
- 額定電流（安培）：
30mA
- 封裝/外殼：
TO-226-3，TO-92-3 長體
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-92（TO-226）
- 描述：
JFET N-CH 25V 30MA TO92
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ADI(亞德諾) |
24+ |
TO92 |
7350 |
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詢價(jià) | ||
ZY |
2023+ |
DIP |
8635 |
全新原裝正品,優(yōu)勢價(jià)格 |
詢價(jià) | ||
ON |
24+ |
4000 |
詢價(jià) | ||||
ON Semiconductor |
2022+ |
TO-92-3 |
38550 |
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詢價(jià) | ||
連接器 |
2447 |
SMD |
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