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IXYN82N120

High-Speed IGBT

DESCRIPTION ·OptimizedforLowSwitchingLosses ·2500V~IsolationVoltage ·PositiveThermalCoefficientofVce(sat) APPLICATIONS ·PowerInverters ·UPS ·MotorDrives ·SMPS ·PFCCircuits ·WeldingMachines

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IXYN82N120C3

IGBT

DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=3.2V@IC=82A ·HighPowerDensity ·LowGateDriveRequirement APPLICATIONS ·UninterruptedPowerSupply ·MotorDrives ·PFCCircuits ·WeldingMachines ·SMPS

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IXYN82N120C3

High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching

IXYS

IXYS Corporation

IXYN82N120C3H1

High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching

IXYS

IXYS Corporation

IXYN82N120C3

包裝：托盤 封裝/外殼：SOT-227-4，miniBLOC 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述：IGBT MOD 1200V 105A 500W SOT227B

IXYS

IXYS Corporation

IXYN82N120C3H1

包裝：管件 封裝/外殼：SOT-227-4，miniBLOC 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述：IGBT MOD 1200V 105A 500W SOT227B

IXYS

IXYS Corporation

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IXYN82N120

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 1200V XPT IGBT GenX3

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
2022
SOT-227-4,miniBLOC
58
原廠原裝正品,價格超越代理
 詢價
IXYS
23+
IGBTXPT1200V105ASOT-227B
1706
專業(yè)代理銷售半導體模塊,能提供更多數(shù)量
 詢價
IXYS
18+
NA
3504
進口原裝正品優(yōu)勢供應QQ3171516190
 詢價
IXYS
21+
SOT-227B
1000
主打產(chǎn)品價格優(yōu)惠.全新原裝正品
 詢價
IXYS
16+
MODULE
2100
公司大量全新現(xiàn)貨 隨時可以發(fā)貨
 詢價
IXYS
1931+
N/A
112
加我qq或微信，了解更多詳細信息,體驗一站式購物
 詢價
IXYS
1809+
SOT-227
326
就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!
 詢價
IXYS
22+
NA
112
加我QQ或微信咨詢更多詳細信息,
 詢價
IXYS
22+
SOT227B
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價
IXYS
21+
SOT227B
13880
公司只售原裝,支持實單
 詢價
更多IXYN82N120供應商 更新時間2024-11-1 16:18:00

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