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IXTP2N60P_VBSEMI/微碧半導(dǎo)體_MOSFET 2.0 Amps 600 V 4.7 Ohm Rds中聯(lián)芯一部
- 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào):IXTP2N60P品牌:VBsemi
只做原裝正品 有掛有貨 假一賠十
產(chǎn)品屬性
- 類(lèi)型
描述
- 型號(hào):
IXTP2N60P
- 功能描述:
MOSFET 2.0 Amps 600 V 4.7 Ohm Rds
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市中聯(lián)芯電子有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
張先生
- 手機(jī):
13714879722
- 詢(xún)價(jià):
- 電話:
13714879722/0755-82725103
- 傳真:
0755-82701983
- 地址:
深圳市 福田區(qū) 振興路 上步管理大廈 501棟402室
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