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IXTN79N20_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-單個(gè)-IXYS

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原廠料號(hào)：IXTN79N20品牌：IXYS

資料說明：MOSFET N-CH 200V 85A SOT227B

IXTN79N20是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)。制造商IXYS/IXYS Corporation生產(chǎn)封裝SOT-227-4，miniBLOC的IXTN79N20晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)分立式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用，它們具有高頻開關(guān)特性，同時(shí)又能承載大電流，使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢(shì)。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競(jìng)爭(zhēng)力。

  • 芯片型號(hào)：

    ixtn79n20

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    IXYS詳情

  • 廠商全稱：

    IXYS Corporation

  • 資料說明：

    MOSFET N-CH 200V 85A SOT227B

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IXTN79N20

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

  • 包裝：

    管件

  • FET 類型：

    N 通道

  • 技術(shù)：

    MOSFET（金屬氧化物）

  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：

    85A（Tc）

  • 不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：

    4V @ 20mA

  • 功率耗散（最大值）：

    400W（Tc）

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-227B

  • 封裝/外殼：

    SOT-227-4，miniBLOC

  • 描述：

    MOSFET N-CH 200V 85A SOT227B

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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