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IXBH20N140

HighVoltageBIMOSFETMonolithicBipolarMOSTransistor

HighVoltageBIMOSFETMonolithicBipolarMOSTransistor N-Channel,EnhancementMode Features ?InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD ?HighVoltageBIMOSFETTM -replaceshighvoltageDarlingtonsandseriesconnectedMOSFETs -lowereffectiveRDS(on) ?Monolithicconstruction

IXYS

IXYS Corporation

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    IXTK20N140

  • 功能描述:

    MOSFET High Voltage Power MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
IXYS
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更多IXTK20N140供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-25 10:18:00