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IXTH90N15T

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IXTH90N15T

Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode

IXYS

IXYS Corporation

CEB90N15

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEF90N15

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEP90N15

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

FKBA90N15

N-Ch150VFastSwitchingMOSFETs

GeneralDescription AdvancedTrenchMOSTechnology LowGateCharge LowRDS(ON) 100EASGuaranteed GreenDeviceAvailable Applications LoadSwitch LEDApplications NetworkingApplications QuickCharger

FETEKFETek Technology Corp.

臺灣東沅東沅科技股份有限公司

FKP90N15

N-Ch150VFastSwitchingMOSFETs

GeneralDescription ?AdvancedTrenchMOSTechnology ?LowGateCharge ?LowRDS(ON) ?100EASGuaranteed ?GreenDeviceAvailable Applications ?LoadSwitch ?LEDApplications ?NetworkingApplications ?QuickCharger

FETEKFETek Technology Corp.

臺灣東沅東沅科技股份有限公司

FQA90N15

N-ChannelPowerMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FQA90N15

N-ChannelPowerMOSFET

Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Features ?90A,150V,RDS(on)=0.018Ω@VGS=10V ?Lowgatecharge(typical220nC) ?LowCrss(typical200pF) ?Fastswitching ?1

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FQA90N15

N-ChannelPowerMOSFET

Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Features ?90A,150V,RDS(on)=0.018Ω@VGS=10V ?Lowgatecharge(typical220nC) ?LowCrss(typical200pF) ?Fastswitching ?1

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

詳細參數

  • 型號：

    IXTH90N15T

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 150V 90A TO247

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導體產品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
24+
TO-247(IXTH)
30000
晶體管-分立半導體產品-原裝正品
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IXYS/艾賽斯
17+
TO-247
31518
原裝正品 可含稅交易
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IXYS
1931+
N/A
18
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IXYS
1809+
TO-247
1675
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IXYS/艾賽斯
23+
TO-247
5425
公司只做原裝正品
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IXYS/艾賽斯
23+
TO-247
50000
全新原裝正品現貨,支持訂貨
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IXYS
22+
NA
18
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 詢價
IXYS/艾賽斯
2022
TO-247
80000
原裝現貨,OEM渠道,歡迎咨詢
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IXYS
21+
TO2473
13880
公司只售原裝,支持實單
 詢價
IXYS/艾賽斯
23+
TO-247
6000
原裝正品，支持實單
 詢價
更多IXTH90N15T供應商 更新時間2025-1-30 14:14:00

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