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IXTH50N20中文資料IXYS數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IXTH50N20
廠商型號

IXTH50N20

功能描述

MegaMOS FET

文件大小

111.4 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-29 17:00:00

IXTH50N20規(guī)格書詳情

MegaMOS? FET

N-Channel Enhancement Mode

Features

? International standard packages

? Low RDS (on) HDMOSTM process

? Rugged polysilicon gate cell structure

? Low package inductance (< 5 nH)

- easy to drive and to protect

? Fast switching times

Applications

? Switch-mode and resonant-mode power supplies

? Motor controls

? Uninterruptible Power Supplies (UPS)

? DC choppers

Advantages

? Easy to mount with 1 screw (TO-247) (isolated mounting screw hole)

? Space savings

? High power density

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IXTH50N20

  • 功能描述:

    MOSFET 50 Amps 200V 0.045 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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