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IXTH2N150L

N-Channel Enhancement Mode Guaranteed FBSOA Avalanche Rated

IXYS

IXYS Corporation

A2N150TW

FORMULAULMoldedCaseCircuitBreakers

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

IXTH2N150

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=9.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·HighVoltagePowerSupplies ·CapacitorDischargeApplications ·PulseCircuits

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTH2N150

N-ChannelEnhancementModeFastIntrinsicDiode

IXYS

IXYS Corporation

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IXYS
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更多IXTH2N150L供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-11 14:14:00