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IXKC25N80C中文資料IXYS數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IXKC25N80C
廠商型號

IXKC25N80C

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, high VDSS MOSFET Electrically Isolated Back Surface

文件大小

119.19 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-9 13:00:00

IXKC25N80C規(guī)格書詳情

N-Channel Enhancement Mode

Low RDSon, high VDSS MOSFET

Electrically Isolated Back Surface

Features

? Silicon chip on Direct-Copper-Bond substrate

- high power dissipation

- isolated mounting surface

- 2500 V electrical isolation

? 3rd generation CoolMOS? 1) power MOSFET

- high blocking capability

- lowest resistance

- avalanche rated for unclamped inductive switching (UIS)

? Low thermal resistance due to reduced chip thickness

? Low drain to tab capacitance (

Applications

? Switched mode power supplies (SMPS)

? Uninterruptible power supplies (UPS)

? Power factor correction (PFC)

? Welding

? Inductive heating

Advantages

? Easy assembly: no screws or isolation foils required

? Space savings

? High power density

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IXKC25N80C

  • 功能描述:

    MOSFET 25 Amps 800V 0.15 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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