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IXGX82N120B3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
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| 廠商型號 |
IXGX82N120B3 |
| 參數(shù)屬性 | IXGX82N120B3 封裝/外殼為TO-247-3 變式；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 1200V 230A 1250W PLUS247 |
| 功能描述 | GenX3 1200V IGBTs |
| 文件大小 |
225.74 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
6 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | IXYS Corporation |
| 企業(yè)簡稱 |
IXYS |
| 中文名稱 | IXYS Corporation官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-5 20:00:00 |
IXGX82N120B3規(guī)格書詳情
IXGX82N120B3屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXGX82N120B3晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
IXGX82N120B3
- 制造商：
IXYS
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列：
GenX3?
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
PT
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
3.2V @ 15V，82A
- 開關(guān)能量：
5mJ（開），3.3mJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
30ns/210ns
- 測試條件：
600V，80A，2 歐姆，15V
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3 變式
- 供應(yīng)商器件封裝：
PLUS247?-3
- 描述：
IGBT 1200V 230A 1250W PLUS247
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾賽斯 |
24+ |
TO247 |
58000 |
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費! |
詢價 | ||
IXYS |
2022+ |
PLUS247?-3 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷 |
詢價 | ||
IXYS/艾賽斯 |
22+ |
PLUS-247 |
25000 |
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單 |
詢價 | ||
IXYS/艾賽斯 |
23+ |
PLUS-247 |
10000 |
公司只做原裝正品 |
詢價 | ||
原裝正品 |
23+ |
TO-252 |
67818 |
##公司主營品牌長期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù) |
詢價 | ||
IXYS艾賽斯 |
1627+ |
DIP8 |
202 |
代理品牌 |
詢價 | ||
IXYS/艾賽斯 |
23+ |
21368 |
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
詢價 | |||
IXYS(艾賽斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾賽斯)全系列在售 |
詢價 | ||
IXYS |
22+ |
PLUS247?3 |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | ||
IXYS |
21+ |
PLUS247?3 |
13880 |
公司只售原裝,支持實單 |
詢價 |
