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IXGX35N120B 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 IXYS

IXGX35N120B參考圖片

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原廠料號：IXGX35N120B品牌：IXYS/艾賽斯

公司只做原裝正品

IXGX35N120B是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商IXYS/艾賽斯/IXYS生產(chǎn)封裝PLUS247/TO-247-3 變式的IXGX35N120B晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    IXGX35N120B

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    IXYS詳情

  • 廠商全稱：

    IXYS Corporation

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    2 頁

  • 文件大?。?/span>

    1850.97 kb

  • 資料說明：

    HiPerFAST IGBT

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    IXGX35N120B

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    HiPerFAST?

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    3.3V @ 15V，35A

  • 開關(guān)能量：

    3.8mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    50ns/180ns

  • 測試條件：

    960V，35A，5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3 變式

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PLUS247?-3

  • 描述：

    IGBT 1200V 70A 350W PLUS247

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市國宇半導(dǎo)體科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    王小姐

  • 手機(jī)：

    17704083728

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-82578201

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場5107

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