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IXGQ85N33PCD1_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-IXYS

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原廠料號(hào)：IXGQ85N33PCD1品牌：IXYS

資料說(shuō)明：IGBT 330V 85A 150W TO3P

IXGQ85N33PCD1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商IXYS/IXYS Corporation生產(chǎn)封裝TO-3P-3，SC-65-3的IXGQ85N33PCD1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    ixgq85n33pcd1

  • 規(guī)格書(shū)：

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    IXYS詳情

  • 廠商全稱：

    IXYS Corporation

  • 資料說(shuō)明：

    IGBT 330V 85A 150W TO3P

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IXGQ85N33PCD1

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    Polar?

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    3V @ 15V，100A

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-3P-3，SC-65-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-3P

  • 描述：

    IGBT 330V 85A 150W TO3P

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IXYS
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TO-3P
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IXYS
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IXYS/艾賽斯
2022+
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