首頁>IXGQ28N120B>詳情

IXGQ28N120B 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 IXYS

IXGQ28N120B參考圖片

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：IXGQ28N120B品牌：IXYS

加我QQ或微信咨詢更多詳細信息,

IXGQ28N120B是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商IXYS生產(chǎn)封裝NA/TO-3P-3，SC-65-3的IXGQ28N120B晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    IXGQ28N120B

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    IXYS詳情

  • 廠商全稱：

    IXYS Corporation

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    6 頁

  • 文件大小：

    512.87 kb

  • 資料說明：

    High Voltage IGBT with Diode

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    IXGQ28N120B

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    3.5V @ 15V，28A

  • 開關能量：

    2mJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    30ns/180ns

  • 測試條件：

    960V，28A，5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-3P-3，SC-65-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-3P

  • 描述：

    IGBT 1200V 50A 250W TO3P

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市易訊博科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    王小姐

  • 手機：

    13751090307

  • 詢價：
  • 電話：

    13751090307/0755-83946786

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北路深紡大廈B座2006

相近型號