首頁(yè)>IXGP30N60C3C1>芯片詳情

IXGP30N60C3C1 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 IXYS

IXGP30N60C3C1參考圖片

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠(chǎng)家型號(hào)：

    IXGP30N60C3C1

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠(chǎng)商：

    IXYS/艾賽斯

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    58000

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO220

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-2-16 9:36:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠(chǎng)料號(hào)：IXGP30N60C3C1品牌：IXYS/艾賽斯

全新原廠(chǎng)原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費(fèi)!

IXGP30N60C3C1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商IXYS/艾賽斯/IXYS生產(chǎn)封裝TO220/TO-220-3的IXGP30N60C3C1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    IXGP30N60C3C1

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    IXYS詳情

  • 廠(chǎng)商全稱(chēng)：

    IXYS Corporation

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    7 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    294.36 kb

  • 資料說(shuō)明：

    GenX3TM 600V IGBT w/ SiC Anti-Parallel Diode

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IXGP30N60C3C1

  • 制造商：

    IXYS

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    GenX3?

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類(lèi)型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    3V @ 15V，20A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    120μJ（開(kāi)），90μJ（關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    17ns/42ns

  • 測(cè)試條件：

    300V，20A，5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220-3

  • 描述：

    IGBT 600V 60A 220W TO220

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市科芯源微電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    林佳偉

  • 手機(jī)：

    13692203079

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話(huà)：

    13692203079

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道深坊C座5102

相近型號(hào)