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IXGH36N60A3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXGH36N60A3
廠商型號

IXGH36N60A3

參數(shù)屬性

IXGH36N60A3 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 220W TO247

功能描述

600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications
IGBT 600V 220W TO247

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

839.36 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-19 20:46:00

IXGH36N60A3規(guī)格書詳情

IXGH36N60A3屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXGH36N60A3晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IXGH36N60A3

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    GenX3?

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.4V @ 15V,30A

  • 開關(guān)能量:

    740μJ(開),3mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    18ns/330ns

  • 測試條件:

    400V,30A,5 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 600V 220W TO247

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IXYS
20+
TO-247
36900
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
詢價
IXYS/艾賽斯
23+
NA/
5425
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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IXYS(艾賽斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾賽斯)全系列在售
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IXYS/艾賽斯
22+
TO-247
25000
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單
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