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IXGH28N90B_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-IXYS

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原廠料號(hào)：IXGH28N90B品牌：IXYS

資料說明：IGBT 900V 51A 200W TO247AD

IXGH28N90B是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商IXYS/IXYS Corporation生產(chǎn)封裝TO-247-3的IXGH28N90B晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    ixgh28n90b

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    IXYS詳情

  • 廠商全稱：

    IXYS Corporation

  • 資料說明：

    IGBT 900V 51A 200W TO247AD

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IXGH28N90B

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    HiPerFAST?

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.7V @ 15V，28A

  • 開關(guān)能量：

    1.2mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    30ns/100ns

  • 測(cè)試條件：

    720V，28A，4.7 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247AD

  • 描述：

    IGBT 900V 51A 200W TO247AD

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