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IXGH28N60BD1分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXGH28N60BD1
廠商型號

IXGH28N60BD1

參數(shù)屬性

IXGH28N60BD1 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 40A 150W TO247AD

功能描述

Low VCE(sat) IGBT with Diode
IGBT 600V 40A 150W TO247AD

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

57.31 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-2 11:09:00

IXGH28N60BD1規(guī)格書詳情

IXGH28N60BD1屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXGH28N60BD1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

Features

? International standard packages

? IGBT and anti-parallel FRED in one package

? Low VCE(sat)

- for minimum on-state conduction losses

? MOS Gate turn-on

- drive simplicity

Applications

? AC motor speed control

? DC servo and robot drives

? DC choppers

? Uninterruptible power supplies (UPS)

? Switch-mode and resonant-mode power supplies

Advantages

? Space savings (two devices in one package)

? Easy to mount with 1 screw

(isolated mounting screw hole)

? Reduces assembly time and cost

? High power density

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IXGH28N60BD1

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,28A

  • 開關能量:

    2mJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    15ns/175ns

  • 測試條件:

    480V,28A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 600V 40A 150W TO247AD

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IXYS/艾賽斯
23+
TO
10000
原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
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IXYS/艾賽斯
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50000
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TO-247
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IXYS/艾賽斯
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