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IXFH14N100中文資料IXYS數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IXFH14N100
廠商型號

IXFH14N100
功能描述

N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family
文件大小

628.09 Kbytes
頁面數(shù)量

4 頁
生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-2-2 8:24:00

IXFH14N100規(guī)格書詳情

Features

● International standard packages

● Low RDS (on) HDMOSTM process

● Rugged polysilicon gate cell structure

● Unclamped Inductive Switching (UIS) rated

● Low package inductance

- easy to drive and to protect

● Fast intrinsic Rectifier

Applications

● DC-DC converters

● Battery chargers

● Switched-mode and resonant-mode power supplies

● DC choppers

● AC motor control

● Temperature and lighting controls

Advantages

● Easy to mount with 1 screw (TO-247)

(isolated mounting screw hole) or

mounting clip or spring (PLUS 247TM)

● High power surface mountable package

● High power density

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    IXFH14N100

  • 功能描述：

    MOSFET 14 Amps 1000V 0.75 Rds

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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