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IXFH120N25T	文件：187.72 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFK120N25	文件：328.01 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=120A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=22mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IXFK120N25	文件：98.46 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs SingleMOSFETDie Features ?Internationalstandardpackages ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect ?Fastintrinsicrectifier Applications ?DC-DCcon	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFK120N25P	文件：151.37 Kbytes Page：5 Pages	PolarPowerMOSFETHiPerFET N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrisicDiode Features ?InternationalStandardPackages ?FastIntrinsicDiode ?AvalancheRated ?LowPackageInductance Advantages ?EasytoMount ?SpaceSavings ?HighPowerDensity Applications ?Switched-ModeandResonant-ModePowe	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFK120N25P	文件：328.55 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=120A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=24mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IXFQ120N25	文件：316.79 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=120A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=12mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andPFCCircuits..	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IXFT120N25T	文件：187.72 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicRectifier	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFX120N25	文件：367.4 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=120A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=22mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IXFX120N25	文件：98.46 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs SingleMOSFETDie Features ?Internationalstandardpackages ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect ?Fastintrinsicrectifier Applications ?DC-DCcon	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFX120N25P	文件：151.37 Kbytes Page：5 Pages	PolarPowerMOSFETHiPerFET N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrisicDiode Features ?InternationalStandardPackages ?FastIntrinsicDiode ?AvalancheRated ?LowPackageInductance Advantages ?EasytoMount ?SpaceSavings ?HighPowerDensity Applications ?Switched-ModeandResonant-ModePowe	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTK120N25	文件：584.25 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentMegaMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTK120N25	文件：85.69 Kbytes Page：2 Pages	HighCurrentMegaMOSFET HighCurrentMegaMOS?FET N-ChannelEnhancementMode Features ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Internationalstandardpackage ?Fastswitchingtimes Applications ?Motorcontrols ?DCchoppers ?Switched-modepowersupplies Advantages ?Easyto	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTK120N25P	文件：161.98 Kbytes Page：5 Pages	PolarHTPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features ?Internationalstandardpackage ?UnclampedInductiveSwitching(UIS) rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages ?Easytomount ?Spacesavings ?Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTN120N25	文件：584.25 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentMegaMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
RCJ120N25	文件：726.63 Kbytes Page：14 Pages	Nch250V12APowerMOSFET	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
RCJ120N25	文件：299 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
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RCX120N25	文件：1.17793 Mbytes Page：7 Pages	10VDriveNchMOSFET	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
RDN120N25	文件：89.51 Kbytes Page：5 Pages	Switching(250V,12A) Features 1)Lowon-resistance. 2)Lowinputcapacitance. 3)Exellentresistancetodamagefromstaticelectricity. Application Switching	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
UPD120N25TA	文件：323.56 Kbytes Page：15 Pages	THREE-TERMINALLOW-DROPOUTPOSITIVE-VOLTAGEREGULATOR(OUTPUTCURRENT:0.3A) Features ?Outputcurrent:0.3A ?On-chipovercurrentprotectioncircuit ?On-chipthermalprotectioncircuit ?Smallcircuitoperationcurrent:60μATYP.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS

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詳細參數(shù)

型號：
IXFH120N25T
功能描述：
MOSFET Trench HiperFETs Power MOSFETs
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
中天科工半導體（深圳）有限公司	IXFH120N25T	IXYS	24+	TO-247AD(IXFH)	30000	晶體管-分立半導體產(chǎn)品-原裝正品	詢價
深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司	IXFH120N25T	IXYS/艾賽斯	1141+	TO247	29130	進口原管現(xiàn)貨/24	詢價
深圳市艾宇欣科技有限公司	IXFH120N25T	IXYS	1931+	N/A	18	加我qq或微信，了解更多詳細信息,體驗一站式購物	詢價
艾睿國際（香港）有限公司	IXFH120N25T	IXYS/艾賽斯	2021+	TO247	100500	一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨	詢價
深圳市科雨電子有限公司	IXFH120N25T	IXYS	1809+	TO-247	326	就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!	詢價
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深圳市易訊博科技有限公司	IXFH120N25T	IXYS	22+	NA	18	加我QQ或微信咨詢更多詳細信息,	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IXFH120N25T	IXYS	22+	TO2473	9000	原廠渠道,現(xiàn)貨配單	詢價
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更多IXFH120N25T供應商更新時間2025-1-1 14:14:00

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