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IXFA6N120P中文資料IXYS數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IXFA6N120P
廠商型號(hào)

IXFA6N120P
功能描述

Polar HiPerFET Power MOSFET
文件大小

169.88 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-1 10:18:00
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IXFA6N120P規(guī)格書詳情

Polar? HiPerFET? Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

Features

● International Standard Packages

● Dynamic dv/dt Rating

● Avalanche Rated

● Fast Intrinsic Diode

● Low QG

● Low RDS(on)

● Low Drain-to-Tab Capacitance

● Low Package Inductance

Advantages

● Easy to Mount

● Space Savings

Applications

● DC-DC Converters

● Battery Chargers

● Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies

● Uninterrupted Power Supplies

● AC Motor Drives

● High Speed Power Switching Applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    IXFA6N120P

  • 功能描述：

    MOSFET POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IXYS
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