首頁>IXER35N120D1>詳情

IXER35N120D1 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 IXYS

IXER35N120D1參考圖片

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：IXER35N120D1品牌：IXYS

絕對全新原裝!優(yōu)勢供貨渠道!特價!請放心訂購!

IXER35N120D1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商IXYS生產(chǎn)封裝TO-247/TO-247-3的IXER35N120D1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    IXER35N120D1

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    IXYS詳情

  • 廠商全稱：

    IXYS Corporation

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    2 頁

  • 文件大?。?/span>

    52.7 kb

  • 資料說明：

    NPT3 IGBT with Diode

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    IXER35N120D1

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.8V @ 15V，35A

  • 開關(guān)能量：

    5.4mJ（開），2.6mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 測試條件：

    600V，35A，39 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    ISOPLUS247?

  • 描述：

    IGBT 1200V 50A 200W TO247

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市毅創(chuàng)騰電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    華琦

  • 手機：

    13725570869

  • 詢價：
  • 電話：

    86-755-83616256/83210909

  • 傳真：

    86-755-83231283

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北路現(xiàn)代之窗大廈B座18I室

相近型號