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IXDT30N120分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
IXDT30N120 |
| 參數(shù)屬性 | IXDT30N120 封裝/外殼為TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 1200V 60A 300W TO268AA |
| 功能描述 | High Voltage IGBT with optional Diode |
| 封裝外殼 | TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA |
| 文件大小 |
89.51 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
4 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | IXYS Corporation |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
IXYS |
| 中文名稱 | IXYS Corporation官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-4-13 16:34:00 |
| 人工找貨 | IXDT30N120價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IXDT30N120規(guī)格書詳情
IXDT30N120屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXDT30N120晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
IXDT30N120
- 制造商：
IXYS
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
NPT
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.9V @ 15V，30A
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-268AA
- 描述：
IGBT 1200V 60A 300W TO268AA
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
LEVELONE |
22+23+ |
BGA |
8000 |
新到現(xiàn)貨，只做原裝進(jìn)口 |
詢價(jià) | ||
LEVELONE |
24+ |
BGA |
5000 |
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售 |
詢價(jià) | ||
INTEL |
23+ |
BGA |
5000 |
原裝正品,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
LEVELONE |
24+ |
BGA |
10 |
詢價(jià) | |||
LXT |
16+ |
BGA |
2500 |
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨/價(jià)格優(yōu)勢(shì)! |
詢價(jià) | ||
IXYS |
2022+ |
TO-268 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價(jià) | ||
IXYS/艾賽斯 |
22+ |
TO-268AA |
25000 |
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單 |
詢價(jià) | ||
INTEL |
1923+ |
BGAQFP |
899 |
進(jìn)口原裝假一罰十特價(jià) |
詢價(jià) | ||
LEVELONE |
00+ |
BGA |
4 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
LEVELONE |
23+ |
7709 |
1002 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) |
