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IXDP35N60B分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IXDP35N60B |
| 參數(shù)屬性 | IXDP35N60B 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 60A 250W TO220AB |
| 功能描述 | IGBT with optional Diode |
| 封裝外殼 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
101.3 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
4 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | IXYS Corporation |
| 企業(yè)簡稱 |
IXYS |
| 中文名稱 | IXYS Corporation官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-4-14 14:53:00 |
| 人工找貨 | IXDP35N60B價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IXDP35N60B規(guī)格書詳情
IXDP35N60B屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXDP35N60B晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
High Speed, Low Saturation Voltage
Features
● NPT IGBT technology
● low switching losses
● low tail current
● no latch up
● short circuit capability
●positive temperature coefficient for easy paralleling
● MOS input, voltage controlled
● optional ultra fast diode
● International standard package
Typical Applications
● AC motor speed control
● DC servo and robot drives
● DC choppers
● Uninteruptible power supplies (UPS)
● Switch-mode and resonant-mode power supplies
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
IXDP35N60B
- 制造商：
IXYS
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
卷帶（TR）
- IGBT 類型：
NPT
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，35A
- 開關(guān)能量：
1.6mJ（開），800μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 測試條件：
300V，35A，10 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-220-3
- 描述：
IGBT 600V 60A 250W TO220AB
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
1844+ |
DIP-18 |
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IXYS |
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