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IXDP20N60BD1

High Voltage IGBT with optional Diode

VCES=600V IC25=32A VCE(sat)typ=2.2V Features ●NPTIGBTtechnology ●lowswitchinglosses ●lowtailcurrent ●nolatchup ●shortcircuitcapability ●positivetemperaturecoefficientforeasyparalleling ●MOSinput,voltagecontrolled ●optionalultr

IXYS

IXYS Corporation

IXDP20N60BD1

Package：TO-220-3；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 32A 140W TO220AB

IXYS

IXYS Corporation

20N60BD1

HiPerFASTIGBTwithDiode

VCES=600V IC25=40A VCE(sat)typ=1.7V tfi(typ)=100ns Features ?Internationalstandardpackages ?HighfrequencyIGBTandantiparallelFREDinonepackage ?Highcurrenthandlingcapability ?HiPerFASTTMHDMOSTMprocess ?MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications ?Unin

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IXGH20N60BD1

HiPerFASTIGBTwithDiode

VCES=600V IC25=40A VCE(sat)typ=1.7V tfi(typ)=100ns Features ?Internationalstandardpackages ?HighfrequencyIGBTandantiparallelFREDinonepackage ?Highcurrenthandlingcapability ?HiPerFASTTMHDMOSTMprocess ?MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications ?Unin

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IXYS Corporation

IXGT20N60BD1

HiPerFASTIGBTwithDiode

VCES=600V IC25=40A VCE(sat)typ=1.7V tfi(typ)=100ns Features ?Internationalstandardpackages ?HighfrequencyIGBTandantiparallelFREDinonepackage ?Highcurrenthandlingcapability ?HiPerFASTTMHDMOSTMprocess ?MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications ?Unin

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IXDP20N60BD1

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.8V @ 15V，20A

  • 開關能量：

    900μJ（開），400μJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 測試條件：

    300V，20A，22 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-220-3

  • 描述：

    IGBT 600V 32A 140W TO220AB

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
23+
DIP18
6000
15年原裝正品企業(yè)
 詢價
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24+
TO-220
8866
詢價
IXYS
23+
TO-220
8600
全新原裝現(xiàn)貨
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NA
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只做進口原裝,終端工廠免費送樣
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TO-220
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一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
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23+
TO-220
10000
公司只做原裝正品
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IXYS
22+
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更多IXDP20N60BD1供應商 更新時間2025-1-22 15:00:00

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