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IXDI609SIATR

9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers

Clare

Clare, Inc.

IXDI609SIATR

9A Peak Source/Sink Drive Current

IXYS

IXYS Corporation

IXDI609SIATR

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝:管件 類(lèi)別:集成電路(IC) 柵極驅(qū)動(dòng)器 描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS Integrated Circuits Division

IXDI609SITR

AECQ100Qualified

IXYS

IXYS Corporation

IXDI609SITR

9-AmpereLow-SideUltrafastMOSFETDrivers

Clare

Clare, Inc.

IXDI609SITR

9APeakSource/SinkDriveCurrent

IXYS

IXYS Corporation

IXDI609YI

9APeakSource/SinkDriveCurrent

IXYS

IXYS Corporation

IXDI609YI

9-AmpereLow-SideUltrafastMOSFETDrivers

Clare

Clare, Inc.

IXDN609CI

9APeakSource/SinkDriveCurrent

IXYS

IXYS Corporation

IXDN609CI

9-AmpereLow-SideUltrafastMOSFETDrivers

Clare

Clare, Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IXDI609SIATR

  • 制造商:

    IXYS Integrated Circuits Division

  • 類(lèi)別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝:

    管件

  • 驅(qū)動(dòng)配置:

    低端

  • 通道類(lèi)型:

    單路

  • 柵極類(lèi)型:

    IGBT,N 溝道,P 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    4.5V ~ 35V

  • 邏輯電壓?- VIL,VIH:

    0.8V,3V

  • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

    9A,9A

  • 輸入類(lèi)型:

    反相

  • 上升/下降時(shí)間(典型值):

    22ns,15ns

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IXYS
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IXYS Integrated Circuits Divis
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更多IXDI609SIATR供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-23 8:24:00