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IXBT24N170

High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor

Features ●HighBlockingVoltage ●InternationalStandardPackages ●LowConductionLosses Advantages ●LowGateDriveRequirement ●HighPowerDensity Applications ●Switch-ModeandResonant-ModePowerSupplies ●UninterruptiblePowerSupplies(UPS) ●LaserGenerators ●CapacitorDisch

IXYS

IXYS Corporation

IXBT24N170

包裝:托盤 封裝/外殼:TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 1700V 60A 250W TO268

IXYS

IXYS Corporation

IXBH24N170

HighVoltage,HighGainBIMOSFETTMMonolithicBipolarMOSTransistor

Features ●HighBlockingVoltage ●InternationalStandardPackages ●LowConductionLosses Advantages ●LowGateDriveRequirement ●HighPowerDensity Applications ●Switch-ModeandResonant-ModePowerSupplies ●UninterruptiblePowerSupplies(UPS) ●LaserGenerators ●CapacitorDisch

IXYS

IXYS Corporation

IXGH24N170

HighVoltageIGBT

IXYS

IXYS Corporation

IXGH24N170A

HighVoltageIGBTs

IXYS

IXYS Corporation

IXGT24N170

HighVoltageIGBT

IXYS

IXYS Corporation

IXGT24N170

HighVoltageIGBT

IXYS

IXYS Corporation

IXGT24N170A

HighVoltageIGBTs

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IXYS Corporation

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IXBT24N170

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    BIMOSFET?

  • 包裝:

    托盤

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,24A

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-268AA

  • 描述:

    IGBT 1700V 60A 250W TO268

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
23+
DIP18
6000
15年原裝正品企業(yè)
詢價
IXYS
1931+
N/A
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IXYS
1809+
TO-268
326
就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!
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IXYS/艾賽斯
23+
TO-247
10000
公司只做原裝正品
詢價
IXYS
22+
NA
18
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IXYS
22+
TO268
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
詢價
IXYS/艾賽斯
23+
TO-247
12300
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
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IXYS/艾賽斯
23+
TO-247
6000
原裝正品,支持實單
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IXYS
2022+
TO-268
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
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IXYS/艾賽斯
22+
TO-247
25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
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更多IXBT24N170供應(yīng)商 更新時間2025-1-8 10:01:00