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IXBH2N250

Monolithic Bipolar MOS Transistor

HighVoltage,HighGainBIMOSFET? MonolithicBipolarMOSTransistor Features ●HighBlockingVoltage ●IntegratedAnti-parallelDiode ●InternationalStandardPackages ●LowConductionLosses Advantages ●LowGateDriveRequirement ●HighPowerDensity Applications ●Switched-ModeandR

IXYS

IXYS Corporation

IXBH2N250

包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼:TO-247-3 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 2500V 5A 32W TO247

IXYS

IXYS Corporation

A2N250TW

FORMULAULMoldedCaseCircuitBreakers

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

IXBT2N250

MonolithicBipolarMOSTransistor

HighVoltage,HighGainBIMOSFET? MonolithicBipolarMOSTransistor Features ●HighBlockingVoltage ●IntegratedAnti-parallelDiode ●InternationalStandardPackages ●LowConductionLosses Advantages ●LowGateDriveRequirement ●HighPowerDensity Applications ●Switched-ModeandR

IXYS

IXYS Corporation

IXGH2N250

forCapacitorDischargeApplications

IXYS

IXYS Corporation

IXGT2N250

forCapacitorDischargeApplications

IXYS

IXYS Corporation

WPGT-2N250

GasDischargeTubes

WPI

World Produts Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IXBH2N250

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    BIMOSFET?

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    3.5V @ 15V,2A

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 2500V 5A 32W TO247

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
Littelfuse/IXYS
23+
TO-247
928
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)
詢價(jià)
IXYS
24+
TO-247-3
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
詢價(jià)
IXYS
23+
DIP18
6000
15年原裝正品企業(yè)
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IXYS
1931+
N/A
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TO-247AD(IXBH)
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IXYS
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TO-247
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IXYS/艾賽斯
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TO-247
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公司只做原裝正品
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IXYS
22+
NA
105
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詢價(jià)
IXYS
22+
TO247AD (IXBH)
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
詢價(jià)
IXYS/艾賽斯
23+
TO-247
6000
原裝正品,支持實(shí)單
詢價(jià)
更多IXBH2N250供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-10 17:09:00