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IXBF15N300C分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXBF15N300C
廠商型號(hào)

IXBF15N300C

參數(shù)屬性

IXBF15N300C 封裝/外殼為i4-Pac?-5(3 引線);包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 3000V 37A 300W ISOPLUSI4

功能描述

High Voltage, High Frequency, BiMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
IGBT 3000V 37A 300W ISOPLUSI4

封裝外殼

i4-Pac?-5(3 引線)

文件大小

225.31 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-26 23:00:00

IXBF15N300C規(guī)格書詳情

IXBF15N300C屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXBF15N300C晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

Features

● Silicon Chip on Direct-Copper Bond (DCB) Substrate

● Isolated Mounting Surface

● 4000V~ Electrical Isolation

● High Blocking Voltage

● High Frequency Operation

Advantages

● Low Gate Drive Requirement

● High Power Density

Applications

● Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IXBF15N300C

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    BIMOSFET?

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    6V @ 15V,15A

  • 開關(guān)能量:

    9.15mJ(開),1.4mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    40ns/455ns

  • 測(cè)試條件:

    1500V,15A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    i4-Pac?-5(3 引線)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    ISOPLUS i4-PAC?

  • 描述:

    IGBT 3000V 37A 300W ISOPLUSI4

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
Littelfuse/IXYS
23+
ISOPLUSi4PAK
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