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IXA33IF1200HB分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXA33IF1200HB
廠商型號

IXA33IF1200HB

參數(shù)屬性

IXA33IF1200HB 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 58A 250W TO247

功能描述

XPT IGBT
IGBT 1200V 58A 250W TO247

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

131.44 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-10 16:50:00

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IXA33IF1200HB規(guī)格書詳情

IXA33IF1200HB屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXA33IF1200HB晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

Features / Advantages:

● Easy paralleling due to the positive temperature coefficient of the on-state voltage

● Rugged XPT design (Xtreme light Punch Through) results in:

- short circuit rated for 10 μsec.

- very low gate charge

- low EMI

- square RBSOA @ 3x Ic

● Thin wafer technology combined with the XPT design results in a competitive low VCE(sat)

● SONIC? diode

- fast and soft reverse recovery

- low operating forward voltage

Applications:

● AC motor drives

● Solar inverter

● Medical equipment

● Uninterruptible power supply

● Air-conditioning systems

● Welding equipment

● Switched-mode and resonant-mode power supplies

● Inductive heating, cookers

● Pumps, Fans

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IXA33IF1200HB

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,25A

  • 開關(guān)能量:

    2.5mJ(開),3mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標準

  • 測試條件:

    600V,25A,39 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 1200V 58A 250W TO247

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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