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ISL9V3040S3ST-F085C分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
ISL9V3040S3ST-F085C |
參數(shù)屬性 | ISL9V3040S3ST-F085C 封裝/外殼為TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:ECOSPARK1 IGN-IGBT TO263 |
功能描述 | EcoSPARK Ignition IGBT |
封裝外殼 | TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB |
文件大小 |
3.12145 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
9 頁 |
生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-7-14 12:00:00 |
人工找貨 | ISL9V3040S3ST-F085C價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
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ISL9V3040S3ST-F085C規(guī)格書詳情
ISL9V3040S3ST-F085C屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的ISL9V3040S3ST-F085C晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
ISL9V3040S3ST-F085C
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列:
Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK?
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
1.65V @ 4V,6A
- 輸入類型:
邏輯
- 25°C 時 Td(開/關(guān))值:
700ns/4.8μs
- 測試條件:
14V,1 歐姆
- 工作溫度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
- 供應(yīng)商器件封裝:
D2PAK-3(TO-263-3)
- 描述:
ECOSPARK1 IGN-IGBT TO263
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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