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ISL9V3040D3ST-F085C分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

ISL9V3040D3ST-F085C
廠商型號(hào)

ISL9V3040D3ST-F085C

參數(shù)屬性

ISL9V3040D3ST-F085C 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:ECOSPARK1 IGN-IGBT TO252

功能描述

ECOSPARK Ignition IGBT 300 mJ, 400 V, N?Channel Ignition IGBT
ECOSPARK1 IGN-IGBT TO252

封裝外殼

TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

文件大小

2.37105 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

11 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-6-27 22:59:00

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ISL9V3040D3ST-F085C規(guī)格書詳情

ISL9V3040D3ST-F085C屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的ISL9V3040D3ST-F085C晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

Features

? SCIS Energy = 300 mJ at TJ = 25°C

? Logic Level Gate Drive

? AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable

? These Devices are Pb?Free and are RoHS Compliant

Applications

? Automotive Ignition Coil Driver Circuits

? High Current Ignition System

? Coil on Plug Application

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    ISL9V3040D3ST-F085C

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    EcoSPARK?

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    1.6V @ 4V,6A

  • 輸入類型:

    邏輯

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    -/4μs

  • 測(cè)試條件:

    300V,1000 歐姆,5V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    D-PAK(TO-252)

  • 描述:

    ECOSPARK1 IGN-IGBT TO252

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ON/安森美
24+
TO252
39548
原廠可訂貨,技術(shù)支持,直接渠道??珊灡9┖贤?/div>
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ON
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DPAK-3 / TO-252-3
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ON全系列可訂貨
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原裝正品支持實(shí)單
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