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ISL9N306AS3ST中文資料仙童半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

ISL9N306AS3ST
廠商型號

ISL9N306AS3ST

功能描述

N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs

文件大小

205.81 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

FAIRCHILD仙童半導體

中文名稱

飛兆/仙童半導體公司官網

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-7-25 20:17:00

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ISL9N306AS3ST規(guī)格書詳情

General Description

This device employs a new advanced trench MOSFET technology and features low gate charge while maintaining low on-resistance.

Optimized for switching applications, this device improves the overall efficiency of DC/DC converters and allows operation to higher switching frequencies.

Features

? Fast switching

? rDS(ON) = 0.0052? (Typ), VGS = 10V

? rDS(ON) = 0.0085? (Typ), VGS = 4.5V

? Qg (Typ) = 30nC, VGS = 5V

? Qgd (Typ) = 11nC

? CISS (Typ) = 3400pF

Applications

? DC/DC converters

產品屬性

  • 型號:

    ISL9N306AS3ST

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
FAIRCHILD
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TO-263
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