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ISL9N306AS3ST中文資料仙童半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

ISL9N306AS3ST
廠商型號

ISL9N306AS3ST
功能描述

N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs
文件大小

205.81 Kbytes
頁面數(shù)量

11 頁
生產廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

FAIRCHILD【仙童半導體】

中文名稱

飛兆/仙童半導體公司官網
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-7-25 20:17:00
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ISL9N306AS3ST規(guī)格書詳情

General Description

This device employs a new advanced trench MOSFET technology and features low gate charge while maintaining low on-resistance.

Optimized for switching applications, this device improves the overall efficiency of DC/DC converters and allows operation to higher switching frequencies.

Features

? Fast switching

? rDS(ON) = 0.0052? (Typ), VGS = 10V

? rDS(ON) = 0.0085? (Typ), VGS = 4.5V

? Qg (Typ) = 30nC, VGS = 5V

? Qgd (Typ) = 11nC

? CISS (Typ) = 3400pF

Applications

? DC/DC converters

產品屬性

  • 型號：

    ISL9N306AS3ST

  • 功能描述：

    MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
FAIRCHILD
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