ISL70024SEHLSLASHPROTO中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào)	ISL70024SEHLSLASHPROTO
功能描述	200V, 7.5A Enhancement Mode GaN Power Transistor
文件大小	512.87 Kbytes
頁面數(shù)量	13 頁
生產(chǎn)廠商	Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱	RENESAS【瑞薩】
中文名稱	瑞薩科技有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
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更新時(shí)間	2025-7-28 22:58:00
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Features

? Very low rDS(ON) 45mΩ (typical)

? Ultra low total gate charge 2.5nC (typical)

? SEE hardness (see SEE report for details)

? SEL/SEB LETTH (VDS = 160V, VGS = 0V):

86MeV?cm2/mg

? ISL70024SEH radiation acceptance (see TID report)

? High dose rate (50-300rad(Si)/s): 100krad(Si)

? Low dose rate (0.01rad(Si)/s): 75krad(Si)

? ISL73024SEH radiation acceptance (see TID report)

? Low dose rate (0.01rad(Si)/s): 75krad(Si)

? Ultra small hermetically sealed 4 Ld Surface Mount

Device (SMD) package

? Package area: 42mm2

? Full military-temperature range operation

? TA = -55°C to +125°C

? TJ = -55°C to +150°C

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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