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MCH6612

Ultrahigh-SpeedSwitchingApplications

N-ChannelSiliconMOSFET Features ?LowON-resistance. ?Ultrahigh-speedswitching. ?4Vdrive. ?Compositetypewith2MOSFETscontainedinasingle package,facilitatinghigh-densitymounting.

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社

NAS6612

BOLT,HEXHEAD,CLOSETOLERANCE,ALLOYSTEELSHORTTHREAD

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類(lèi)制造商etc2未分類(lèi)制造商

NAS6612

NATIONALAEROSPACESTANDARD

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類(lèi)制造商etc2未分類(lèi)制造商

S6612

SunStrap

HeycoHeyco.

海科

S6612F

HIGH-SPEEDTHYRISTORSILICONDIFFUSEDTYPE

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

S6612G

HIGH-SPEEDTHYRISTORSILICONDIFFUSEDTYPE

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

SG6612WN

650V50AInsulatedGateBipolarTransistor

lFeatures 1)TrenchLightPunchThroughType 2)LowCollector-EmitterSaturationVoltage 3)LowSwitchingLoss 4)ShortCircuitWithstandTime5μs lApplication GeneralInverter UPS PowerConditioner Welding

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

SS6612

High-EfficiencySynchronousStep-upDC/DCConverterwithSelectableCurrentLimit

DESCRIPTION TheSS6612isahigh-efficiencystep-upDC/DCconverter,withastart-upvoltageaslowas0.8V,andanoperatingvoltagedownto0.7V.Consumingonly20μAofquiescentcurrent,thisdeviceincludesabuilt-insynchronousrectifierthatreducessizeandcostbyeliminatingtheneed

SSC

Silicon Standard Corp.

SS6612COTR

High-EfficiencySynchronousStep-upDC/DCConverterwithSelectableCurrentLimit

DESCRIPTION TheSS6612isahigh-efficiencystep-upDC/DCconverter,withastart-upvoltageaslowas0.8V,andanoperatingvoltagedownto0.7V.Consumingonly20μAofquiescentcurrent,thisdeviceincludesabuilt-insynchronousrectifierthatreducessizeandcostbyeliminatingtheneed

SSC

Silicon Standard Corp.

SSG6612N

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    ISL6612EIB-T

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類(lèi)別：

    集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝：

    管件

  • 驅(qū)動(dòng)配置：

    半橋

  • 通道類(lèi)型：

    同步

  • 柵極類(lèi)型：

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電：

    10.8V ~ 13.2V

  • 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：

    1.25A，2A

  • 輸入類(lèi)型：

    非反相

  • 上升/下降時(shí)間（典型值）：

    26ns，18ns

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 125°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）裸露焊盤(pán)

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    8-SOIC-EP

  • 描述：

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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8SOICEP
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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8SOICEP
9000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢(xún)價(jià)
更多ISL6612EIB-T供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-6-13 10:34:00

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