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ISG2018

Trench gate Field-Stop IGBT

DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.0V@IC=30A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·SynchronousRectificationinSMPS ·AutomotiveChargers ·UPS,PFC ·HighVoltageAuxiliaries

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

K2018

N-Channel60V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

KTC2018

EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(GENERALPURPOSE)

GENERALPURPOSEAPPLICATION. FEATURES ?HighBreakdownVoltage:VCEO=100V. ?LowCollectorSaturationVoltage:VCE(sat)=2.0V(Max.). ?ComplementarytoKTA1038.

KECKEC CORPORATION

KEC株式會社

KTC2018-O

NPNTransistors

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

KTC2018-Y

NPNTransistors

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

M2018

MiniatureToggles

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

M2018

SUBMINATURE/MULTI-FUNCTION/UNBRACKETED

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商未分類制造商

M2018

GeneralSpecifications

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

M-2018G

toggleswitch

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分類制造商

M2018TNA

MiniatureRockers

NKKNihon Kaiheiki Industry Co. Ltd.

恩楷楷恩楷楷(上海)開關(guān)有限公司

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多ISG2018供應商 更新時間2025-1-23 14:30:00

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