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ISF1112

N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=150A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=13mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·Switching ·Converters

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

JUR1112LU

PLCCSideViewingTypeLEDRoHSCompliant

Stanley

STANLEY ELECTRIC CO.,LTD.

KSR1112

NPNSWITCHINGAPPLICATION)

SWITCHINGAPPLICATION(BiasResistorBuiltIn) ?SwitchingCircuit,Inverter,Interfacecircuit,Drivercircuit ?BuiltInBiasResistor(R=47KΩ) ?ComplementtoKSR2112

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導(dǎo)體

KUWT-1112-B

Plug-inSignalConditionersK-UNIT

MSYSTEMM-System Co.,Ltd.

愛模愛模系統(tǒng)有限公司

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KUWT-1112-R

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KUWTN-1112

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KUWTN-1112/Q

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愛模愛模系統(tǒng)有限公司

LM1112

DOLBYB-TYPENOISEREDUCTIONPROCESSOR

NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司

LM1112A

DOLBYB-TYPENOISEREDUCTIONPROCESSOR

NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司

LM1112AN

DOLBYB-TYPENOISEREDUCTIONPROCESSOR

NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司

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更多ISF1112供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-6 10:00:00