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ISB3008

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=120V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=1A APPLICATIONS ·Designedforpoweramplifier,highspeedswitchingand regulatedpowersupplyapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

LDS-SMA3008RI-SOTR

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Lumex

LUMEX INC.

LMS-3008

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TDK株式會(huì)社東電化(中國)投資有限公司

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LT3008EDC

3關(guān)AIQ,20mA,45VLowDropoutLinearRegulator

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凌力爾特凌特半導(dǎo)體

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更多ISB3008供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-28 10:56:00