IS64WV51216BLL-10MA3_集成電路（IC）存儲器-ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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廠家型號：
IS64WV51216BLL-10MA3
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
庫存數(shù)量：
0
類別：
集成電路（IC）存儲器
封裝外殼：
48-TFBGA
包裝：
托盤
安裝類型：
表面貼裝型
更新時間：
2025-1-25 16:30:00

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原廠料號：IS64WV51216BLL-10MA3品牌：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

資料說明：IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48MINIBGA

IS64WV51216BLL-10MA3是集成電路（IC） > 存儲器。制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc生產(chǎn)封裝48-TFBGA的IS64WV51216BLL-10MA3存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

芯片型號：
is64wv51216bll-10ma3
規(guī)格書：
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資料說明：
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48MINIBGA

產(chǎn)品屬性

類型
描述
產(chǎn)品編號：
IS64WV51216BLL-10MA3
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
類別：
集成電路（IC） > 存儲器
包裝：
托盤
存儲器類型：
易失
存儲器格式：
SRAM
技術：
SRAM - 異步
存儲容量：
8Mb（512K x 16）
存儲器接口：
并聯(lián)
寫周期時間 - 字，頁：
10ns
電壓 - 供電：
2.4V ~ 3.6V
工作溫度：
-40°C ~ 125°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
48-TFBGA
供應商器件封裝：
48-迷你型BGA（9x11）
描述：
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48MINIBGA

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IS64WV51216BLL-10MA3_集成電路（IC） 存儲器-ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS64WV51216BLL-10MA3

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