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IS62WV6416BLL-55TLI集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

IS62WV6416BLL-55TLI
廠商型號

IS62WV6416BLL-55TLI

參數(shù)屬性

IS62WV6416BLL-55TLI 封裝/外殼為44-TSOP(0.400",10.16mm 寬);包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II

功能描述

64K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

封裝外殼

44-TSOP(0.400",10.16mm 寬)

文件大小

111.93 Kbytes

頁面數(shù)量

17

生產(chǎn)廠商 Integrated Silicon Solution Inc
企業(yè)簡稱

ISSI北京矽成

中文名稱

北京矽成半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-2-20 19:00:00

IS62WV6416BLL-55TLI規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The ISSI IS62WV6416ALL/ IS62WV6416BLL are high-speed, 1M bit static RAMs organized as 64K words by 16 bits. It is fabricated using ISSIs high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields high-performance and low power consumption devices.

FEATURES

? High-speed access time: 45ns, 55ns

? CMOS low power operation:

30 mW (typical) operating

15 μW (typical) CMOS standby

? TTL compatible interface levels

? Single power supply

1.7V--2.2V VDD (62WV6416ALL)

2.5V--3.6V VDD (62WV6416BLL)

? Fully static operation: no clock or refresh required

? Three state outputs

? Data control for upper and lower bytes

? Industrial temperature available

? 2CS Option Available

? Lead-free available

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IS62WV6416BLL-55TLI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 異步

  • 存儲容量:

    1Mb(64K x 16)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字,頁:

    55ns

  • 電壓 - 供電:

    2.5V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    44-TSOP(0.400",10.16mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    44-TSOP II

  • 描述:

    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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