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IS46TR85120A-125KBLA2

512Mx8, 256Mx16 4Gb DDR3 SDRAM

FEATURES ●StandardVoltage:VDDandVDDQ=1.5V±0.075V ●LowVoltage(L):VDDandVDDQ=1.35V+0.1V,-0.067V -Backwardcompatibleto1.5V ●Highspeeddatatransferrateswithsystemfrequencyupto1066MHz ●8internalbanksforconcurrentoperation ●8n-Bitpre-fetcharchitecture

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS46TR85120A-125KBLA2

Package:78-TFBGA;包裝:托盤 類別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46TR85120A-125KBLA2-TR

Package:78-TFBGA;包裝:托盤 類別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IS46TR85120A-125KBLA2

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q100

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲(chǔ)器類型:

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    DRAM

  • 技術(shù):

    SDRAM - DDR3

  • 存儲(chǔ)容量:

    4Gb(512M x 8)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字,頁:

    15ns

  • 電壓 - 供電:

    1.425V ~ 1.575V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 105°C(TC)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    78-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    78-TWBGA(9x10.5)

  • 描述:

    IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
ISSI
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更多IS46TR85120A-125KBLA2供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-8 8:48:00