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IS43R83200F集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IS43R83200F |
| 參數(shù)屬性 | IS43R83200F 封裝/外殼為66-TSSOP（szeroko?? 0，400"，10，16mm）；包裝為管件；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II |
| 功能描述 | Auto Precharge |
| 封裝外殼 | 66-TSSOP（szeroko?? 0，400"，10，16mm） |
| 文件大小 |
1.11874 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
32 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Integrated Silicon Solution Inc |
| 企業(yè)簡稱 |
ISSI【北京矽成】 |
| 中文名稱 | 北京矽成半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-9 23:00:00 |
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更多產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
IS43R83200F-5TL-TR
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲器
- 包裝：
管件
- 存儲器類型：
易失
- 存儲器格式：
DRAM
- 技術(shù)：
SDRAM - DDR
- 存儲容量：
256Mb（32M x 8）
- 存儲器接口：
并聯(lián)
- 寫周期時間 - 字，頁：
15ns
- 電壓 - 供電：
2.3V ~ 2.7V
- 工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
66-TSSOP（szeroko?? 0，400"，10，16mm）
- 供應(yīng)商器件封裝：
66-TSOP II
- 描述：
IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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