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IS43DR16160A-3DBLI集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料
![IS43DR16160A-3DBLI](https://oss.114ic.com/img3w/pdf141156.png)
廠商型號(hào) |
IS43DR16160A-3DBLI |
參數(shù)屬性 | IS43DR16160A-3DBLI 封裝/外殼為84-TFBGA;包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84TWBGA |
功能描述 | 32Mx8, 16Mx16 DDR2 DRAM |
封裝外殼 | 84-TFBGA |
文件大小 |
1.48953 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
48 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Integrated Silicon Solution Inc |
企業(yè)簡稱 |
ISSI【北京矽成】 |
中文名稱 | 北京矽成半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-2-13 18:05:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
IS43DR16160A-3DBLI
- 制造商:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器
- 包裝:
卷帶(TR)
- 存儲(chǔ)器類型:
易失
- 存儲(chǔ)器格式:
DRAM
- 技術(shù):
SDRAM - DDR2
- 存儲(chǔ)容量:
256Mb(16M x 16)
- 存儲(chǔ)器接口:
并聯(lián)
- 寫周期時(shí)間 - 字,頁:
15ns
- 電壓 - 供電:
1.7V ~ 1.9V
- 工作溫度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
84-TFBGA
- 供應(yīng)商器件封裝:
84-TWBGA(8x12.5)
- 描述:
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84TWBGA
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI Integrated Silicon Soluti |
21+ |
84TWBGA (8x12.5) |
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ISSI |
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ISSI Integrated Silicon Solut |
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ISSI, Integrated Silicon Solut |
24+ |
84-TWBGA(8x12.5) |
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