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IS41LV16100B-50K集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

IS41LV16100B-50K
廠商型號

IS41LV16100B-50K

參數(shù)屬性

IS41LV16100B-50K 封裝/外殼為42-BSOJ(0.400",10.16mm 寬);包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ

功能描述

1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

封裝外殼

42-BSOJ(0.400",10.16mm 寬)

文件大小

143.69 Kbytes

頁面數(shù)量

22

生產(chǎn)廠商 Integrated Silicon Solution Inc
企業(yè)簡稱

ISSI北京矽成

中文名稱

北京矽成半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-1-29 11:30:00

IS41LV16100B-50K規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

TheISSIIS41LV16100B is 1,048,576 x 16-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memories. These devices offer an accelerated cycle access called EDO Page Mode. EDO Page Mode allows 1,024 random accesses within a single row with access cycle time as short as 20 ns per 16-bit word.

FEATURES

? TTL compatible inputs and outputs; tristate I/O

? Refresh Interval:

— Auto refresh Mode: 1,024 cycles /16 ms

— RAS-Only, CAS-before-RAS (CBR), and Hidden

? JEDEC standard pinout

? Single power supply: 3.3V ± 10

? Byte Write and Byte Read operation via two CAS

? Industrial Temperature Range: -40oC to +85oC

? Lead-free available

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IS41LV16100B-50KLI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    DRAM

  • 技術(shù):

    DRAM - EDO

  • 存儲容量:

    16Mb(1M x 16)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    42-BSOJ(0.400",10.16mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    42-SOJ

  • 描述:

    IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ISS
22+
NA
30000
100%全新原裝 假一賠十
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原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
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