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IRLZ44Z	文件：304.29 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpro	IRF International Rectifier	IRF
IRLZ44Z	文件：362.09 Kbytes Page：13 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET (VDSS = 55V , RDS(on) =13.5m廓 , ID = 51A) Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpro	IRF International Rectifier	IRF
IRLZ44Z	文件：338.57 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
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IRLZ44ZLPBF	文件：362.09 Kbytes Page：13 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET (VDSS = 55V , RDS(on) =13.5m廓 , ID = 51A) Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpro	IRF International Rectifier	IRF
IRLZ44ZPBF	文件：362.09 Kbytes Page：13 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET (VDSS = 55V , RDS(on) =13.5m廓 , ID = 51A) Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpro	IRF International Rectifier	IRF
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IRLZ44ZSPBF	文件：362.09 Kbytes Page：13 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET (VDSS = 55V , RDS(on) =13.5m廓 , ID = 51A) Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpro	IRF International Rectifier	IRF
IRLZ44ZPBF	文件：387.37 Kbytes Page：12 Pages	Advnaced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRLZ44ZPBF_10	文件：387.37 Kbytes Page：12 Pages	Logic Level, Advanced Process Technology, Ultra Low On-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
IRLZ44ZPBF_15	文件：387.37 Kbytes Page：12 Pages	Advnaced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRLZ44ZS	文件：299.47 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC

詳細參數(shù)

型號：
IRLZ44Z
功能描述：
MOSFET N-CH 55V 51A TO-220AB
RoHS：
否
類別：
分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
HEXFET®
標準包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多IRLZ44Z供應商更新時間2025-1-10 16:30:00

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