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IRLR3110ZPBF中文資料百域芯數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRLR3110ZPBF
廠商型號

IRLR3110ZPBF

功能描述

N-Channel Super Trench Power MOSFET

文件大小

841.44 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 BYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED
企業(yè)簡稱

Bychip百域芯

中文名稱

深圳市百域芯科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-16 9:53:00

IRLR3110ZPBF規(guī)格書詳情

Features

VDS= 100V, ID= 78 A

RDS(ON) < 9.0mΩ @ VGS = 10V

RDS(ON) < 12 mΩ @ VGS =4.5V

General Features

Advanced Trench Technology

Provide Excellent RDS(ON) and Low Gate

Charge

Lead Free and Green Available

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRLR3110ZPBF

  • 功能描述:

    MOSFET 100V HEXFET 14mOhms 15nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
IR
23+
TO-252
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一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
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IR原裝
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免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
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原裝現(xiàn)貨
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