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IRLR120ATF

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features ?VDS=100V,ID=18.1A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

IRLR120ATF

Advanced power MOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

IRLR120N

PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.185ohm,Id=10A)

IRF

International Rectifier

IRLR120N

AdvancedProcessTechnology

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRLR120N

N-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRLR120NLPBF

SurfaceMount(IRLR120N)

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRLR120NPBF

HEXFET?PowerMOSFET

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p

IRF

International Rectifier

IRLR120NPBF

AdvancedProcessTechnology

IRF

International Rectifier

IRLR120NTR

AdvancedProcessTechnology

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,

IRF

International Rectifier

IRLR120NTR

100VN-ChannelMOSFET

VDS(V)=100V ID=10A(VGS=10V) RDS(ON)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    IRLR120ATF

  • 功能描述:

    MOSFET 100V N-Channel a-FET Logic Level

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
onsemi(安森美)
23+
TO-252
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支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
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更多IRLR120ATF供應(yīng)商 更新時間2025-1-23 16:12:00