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IRLR024NTRL中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
IRLR024NTRL規(guī)格書詳情
Description
Fifth Generation HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.
● Logic-Level Gate Drive
● Surface Mount (IRLR024N)
● Straight Lead (IRLU024N)
● Advanced Process Technology
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRLR024NTRL
- 功能描述：
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon |
1931+ |
N/A |
493 |
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詢價(jià) | ||
IR |
08+ |
D-pak |
20000 |
普通 |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
D-pak |
8000 |
原裝正品支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
IR |
21+ |
TO252 |
10000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
21+ |
DPAK |
10000 |
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詢價(jià) | ||
Infineon |
22+ |
NA |
2118 |
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詢價(jià) | ||
Infineon |
18+ |
NA |
3000 |
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng) |
詢價(jià) | ||
INF |
22+ |
6000 |
代理原裝正品 |
詢價(jià) | |||
International Rectifier |
2022+ |
1 |
全新原裝 貨期兩周 |
詢價(jià) | |||
IR |
23+ |
TO-252 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) |
